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高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,选用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体职业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式对外发布第三代快速(G3
碳化硅MOSFETs产品系列,为完成最快的开关速度、最高的功率和功率密度的增进进行优化,
N沟道功率MOSFET UTC1N70-LC数据手册.pdf》材料免费下载
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封装IGBT单管 /
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三相MOSFET/IGBT驱动器 /
【RA-Eco-RA0E1-32PIN-V1.0开发板试用】开发环境建立及流水灯(附踩坑记载)
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